Os Laboratórios Bell ao redigirem a patente do transistor tentara inicialmente uma patente ampla que protegesse o conceito de que um efeito de campo poderia influenciar a corrente de um semicondutor, porém os advogados do Laboratório descobriram que uma patente sobre isso já havia sido depositada em 1925 ao físico austro-húngaro Julius Lilienfeld (US1745175, US1900018, US1877140) [1], embora ele não tivesse chegado a implementar qualquer dispositivo que aproveitasse esse conceito, uma vez que na época a tecnologia de materiais disponível, como por exemplo o selênio policristalino usado por Lilienfeld era incapaz de sustentar por muito tempo os portadores de carga minoritários por um tempo suficiente para permitir um processo de difusão eu pudesse promover o efeito transistor[2] . O trabalho de Lilienfeld desapareceu na obscuridade até que, após sua morte foi homenageado com um prêmio da American Physical Society. John Bardeen e Walter Brattain então decidiram solicitar uma patente (US2524035) depositada em 1948, mais restrita, de um método de ponto de contato para construir um transistor semicondutor.[3] William Schokley aperfeiçoou o conceito e desenvolveu o conceito de transistor de junção, onde ao invés de aglomerar pontos de ouro numa placa de germânio, trabalhou com o conceito de camadas de semicondutoras tipo N e tipo P superpostas numa configuração em sanduíche PNP (US2569347, US2524035). A patente mais genérica de Lilienfeld, portanto, não serviu de anterioridade para a patente mais restrita do transistor.
[1] http://en.wikipedia.org/wiki/History_of_the_transistor#Patents
[2] CULLIS,
Roger. Patents, inventions and the dynamics of innovation: a multidisciplinary study,
Edgard Elgar, 2007, p.84, 103, 258
[3] ISAACSON, Walter. Os inovadores: uma biografia da revolução digital, São Paulo:
Cia das Letras, 2014, p. 159
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