Decisões CGREC TBR406/18

 Reivindicações Clareza

TBR406/18 Reivindicação trata de Método para formar um transistor, o qual inclui uma camada semicondutora (4) e uma camada porta dielétrica (5), caracterizado pelo fato de compreender: depositar uma solução de um primeiro polímero em um primeiro solvente para formar uma primeira camada do transistor, cuja primeira camada é uma de ditas camadas semicondutora e porta dielétrica; e subsequentemente, enquanto a primeira camada do primeiro polímero permanecer solúvel no primeiro solvente, formar uma segunda camada do transistor, cuja segunda camada é a outra das ditas camadas semicondutora e porta dielétrica, depositando-se sobre a primeira camada do primeiro polímero uma solução de um segundo polímero em um segundo solvente para o qual o primeiro polímero exibe um parâmetro de interação D maior do que 10. O pedido está em desacordo com o Artigo 25 da LPI. Particularmente, os seguintes trechos da reivindicação independente 1 do quadro reivindicatório: "formar uma primeira camada do transistor, cuja primeira camada é uma de ditas camadas semicondutora e porta dielétrica" e "formar uma segunda camada do transistor, cuja segunda camada é a outra das ditas camadas semicondutora e porta dielétrica". Dessa forma, a reivindicação independente 1 não está descrevendo precisamente a matéria objeto da proteção; onde, a camada semicondutora (4) do transistor é formada pelo copolímero F8T2; enquanto que, a camada isolante (5) (porta dielétrica), é formada por um outro polímero, o PVP, por exemplo